硅管的死区电压为05V，锗管的死区电压为（）

硅晶体管的死区电压约为V（） 硅管的死区电压约为1V 二极管正向特征中有一死区，一般硅二极管的死区电压约为（）,锗二极管的死区电压约为（）   通常锗管的死区电压约为（） 锗材料二极管的死区电压为（）V。 锗材料二极管的死区电压为（）V 锗二极管的死区电压为0.1V。 二极（锗）管的死区电压为（）。 二极（锗）管的死区电压为（） 锗二极管死区电压为0.1V，导通电压为0.3V（） 硅材料二极管的死区电压为（）V。 硅材料二极管的死区电压为（）V 通常硅管的死区电压约为（） 通常硅管的死区电压为（） 若锗管死区电压为0.3V,管子导通时所加的正向电压应是（） 锗管的死区电压为0.3V，管子导通时所加的正向电压应是（） 锗二极管的死区电压为（） 锗二极管的死区电压约为（） 硅材料二极管的死区电压为0.3V。 二极(硅)管的死区电压为()。