硅材料二极管的死区电压为0.3V。

锗材料二极管的死区电压为（）V 普通硅二极管的死区电压为()。   硅二极管的死区电压一般为0.2V（） 硅二极管的死区电压一般为0.2V（） Si二极管的死区电压约为V，Ge二极管的死区电压约为V，Si二极管导通时的管压降约为V，Ge二极管导通时的管压降约为V 一般来说，硅晶体二极管的死区电压大于锗晶体二极管的死区电压。 硅半导体二极管的死区电压约为（）。 单40、硅二极管的死区电压为（） 小电流硅二极管的死区电压约为（），正向压约为0.7V 小电流硅二极管的死区电压约为0.5V，正想压约为（） 二极管的死区电压为0.5V（） 晶体二极管具有正向特性，硅管的死区电压为（）。 晶体二极管具有正向特性，硅管的死区电压为（） 锗二极管的死区电压为0.1V。 硅二极管的门坎电压为（）v 硅二极管门限电压是（）V 二极管所加正向电压____死区电压时，二极管完全导通。 中国大学MOOC: 在室温27度时，硅二极管的死区电压大约为 V。 硅二极管的开启电压为0.5V左右，锗二极管为0.1V左右。 硅二极管的开启电压为0.5V左右，锗二极管为0.1V左右。