锗材料二极管的死区电压为（）V

硅材料二极管的死区电压为（）V Si二极管的死区电压约为V，Ge二极管的死区电压约为V，Si二极管导通时的管压降约为V，Ge二极管导通时的管压降约为V 硅材料二极管的死区电压为0.3V。 锗二极管门限电压是（）V 锗二极管的导通电压为V（） 二极（锗）管的死区电压为（）。 二极（锗）管的死区电压为（） 硅二极管的开启电压为0.5V左右，锗二极管为0.1V左右。 硅二极管的开启电压为0.5V左右，锗二极管为0.1V左右。 二极管的死区电压为0.5V（） 二极管按材料分类为硅二极管和锗二极管（） 硅材料二极管的死区电压为（） 锗二极管的压降比硅二极管的要小，理论上锗二极管是0.3V，硅二极管是（） 二极管当中，硅管的开启电压约为（ ）V，锗管约为（ ）V。 二极管当中，硅管的开启电压约为（）V，锗管约为（）V 加在二极管上的正向电压大于死区电压时，二极管（）;加反向电压时，二极管（）。   二极管所加正向电压____死区电压时，二极管完全导通。 二极管真正导通后，锗管的电压约为()V。 硅二极管的死区电压为           ,正向导通压降为          ;锗二极管的死区电压为          ,正向导通压降为        。   加在二极管上的正向电压大于死区电压时二极管。