锗二极管的死区电压为0.1V。

锗二极管的导通电压为V（） 二极（锗）管的死区电压为（） 二极（锗）管的死区电压为（）。 硅二极管的开启电压为0.5V左右，锗二极管为0.1V左右。 硅二极管的开启电压为0.5V左右，锗二极管为0.1V左右。 硅材料二极管的死区电压为（）V。 硅材料二极管的死区电压为（）V 二极管的死区电压为0.5V（） 锗二极管的压降比硅二极管的要小，理论上锗二极管是0.3V，硅二极管是（） 二极管当中，硅管的开启电压约为（ ）V，锗管约为（ ）V。 二极管当中，硅管的开启电压约为（）V，锗管约为（）V 二极管所加正向电压____死区电压时，二极管完全导通。 二极管真正导通后，锗管的电压约为()V。 硅二极管的死区电压为           ,正向导通压降为          ;锗二极管的死区电压为          ,正向导通压降为        。   加在二极管上的正向电压大于死区电压时二极管。 硅材料二极管的死区电压为0.3V。 一般锗二极管的死区电压为（）,正向导通压降约为（）。 当二极管正向偏置电压小于死区电压时二极管才能导通。 二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？ 锗二极管的导通电压通常比硅二极管的高（）