锗二极管死区电压为0.1V，导通电压为0.3V（）

锗二极管的导通电压通常比硅二极管的高（） 若二极管的导通电压为0.3V，当阳极与阴极之间的电压大于（）V时，二极管导通 锗二极管的死区电压为（） 锗二极管的死区电压约为（） 锗二极管门限电压是（）V 一般来说，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压（） 硅二极管和锗二极管的导通电压分别为 硅二极管，它在反向电压下的漏电流比锗管小得多，但导通电压较高，约（）V。 导通后二极管两端电压变化很小，锗管约为V（） 导通后二极管两端电压变化很小，锗管约为V，硅管约为V 硅材料二极管的死区电压为（）V。 二极管的死区电压为0.5V（） 硅材料二极管的死区电压为（）V 二极管当中，硅管的开启电压约为（ ）V，锗管约为（ ）V。 二极管当中，硅管的开启电压约为（）V，锗管约为（）V 半导体二极管的死区电压和导通电压与二极管的材料没有关系（） 硅二极管的开启电压为0.5V左右，锗二极管为0.1V左右。 硅二极管的开启电压为0.5V左右，锗二极管为0.1V左右。 二极管所加正向电压____死区电压时，二极管完全导通。 锗二极管正向导通电压应为（）。