锗管的死区电压为0.3V，管子导通时所加的正向电压应是（）

硅二极管的死区电压为           ,正向导通压降为          ;锗二极管的死区电压为          ,正向导通压降为        。   一般锗二极管的死区电压为（）,正向导通压降约为（）。 硅二极管导通时的正向压降为V，锗二极管导通时的正向压降为V（） 通常，硅管的死区电压约为V，锗管约为（B）V（） 当二极管外加正向电压死区电压时，处于导通 二极管真正导通后，锗管的电压约为()V。 硅管导通电压0.3V,锗管导通电压0.7V 理想二极管导通时，其正向电压降为()V。 Si二极管的死区电压约为V，Ge二极管的死区电压约为V，Si二极管导通时的管压降约为V，Ge二极管导通时的管压降约为V 当二极管两端正向偏置电压大于死区电压，二极管才能导通。 锗材料二极管的死区电压为（）V。 锗材料二极管的死区电压为（）V 二极管正向导通时，锗管的电压降约为（） 二极管导通后锗管的导通电压一般取为（）V。 二极管导通后锗管的导通电压一般取为（）V 硅稳压管加正向电压超过（）电压时导通。 锗二极管的死区电压为0.1V。 DLID48707 : 当二极管外加正向电压（）死区电压时，处于导通状态 导通后二极管两端电压变化很小，锗管约为V（） 导通后二极管两端电压变化很小，锗管约为V，硅管约为V