通常硅管的死区电压为（）

二极（硅）管的死区电压为（） 硅二级管的死区电压约为（） 硅晶体管的死区电压约为V（） 硅管与锗管的死区电压分别为（）。 硅管与锗管的死区电压分别为（） 硅二极管的死区电压为 硅二极管的死区电压约为（） 硅二极管的死区电压约为（） 硅二极管的死区电压约为（） 二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？ 三极管加正向偏置时存在一个死区电压，锗管死区电压为（）V，硅管为（）V。 硅材料二极管的死区电压为（） 普通硅二极管的死区电压为()。   一般来说，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压（） 通常锗管的死区电压约为（） 硅材料二极管的死区电压为（）V。 硅半导体二极管的死区电压约为（）。 单40、硅二极管的死区电压为（） 硅材料二极管的死区电压为（）V 晶体二极管具有正向特性，硅管的死区电压为（）。