硅晶体管的死区电压约为V（）

晶体二极管具有正向特性，硅管的死区电压为（） 硅材料二极管的死区电压为（）V。 硅材料二极管的死区电压为（）V 晶体管的穿透电流I_CEO随温度的升高而（）,由于硅晶体管的穿透电流比锗晶体管小，所以硅晶体管的（）比锗晶体管好。 晶体管放大电路，放大状态的静态I点，发射极电压Ube，硅管为0.6～0.8V，锗管为0.12～0.3V（） 与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能（????? ）。 晶体管V1的=50，晶体管V2的=30，若两管组成复合晶体管，则该复合晶体管的p约为（） 硅材料二极管的死区电压为0.3V。 与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能高。() 如下电路中的晶体管为硅管, β=100 ,则晶体管的工作状态为( )。 硅管的死区电压约为（）,锗管的死区电压约为（）;硅管的正向压降约为（）,锗管的正向压降约为（）。 通常硅管的死区电压为（） 通常硅管的死区电压约为（） 硅二极管的死区电压一般为0.2V（） 硅二极管的死区电压一般为0.2V（） 晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，对于硅管约为（）V，锗管约为0.3V 晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，对于硅管约为（）V，锗管约为0.3V。 晶体管工作在放大状态时，发射结()，对于硅管约为0.7V，锗管约为0.3V。 NPN晶体管是由硅材料制成。 NPN晶体管是由硅材料制成。