通常，硅管的死区电压约为V，锗管约为（B）V（）

通常硅管的死区电压约为（） 二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？ 一般来说，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压（） 硅管导通电压0.3V,锗管导通电压0.7V 锗材料二极管的死区电压为（）V。 锗材料二极管的死区电压为（）V 二极管当中，硅管的开启电压约为（）V，锗管约为（）V 二极管当中，硅管的开启电压约为（ ）V，锗管约为（ ）V。 硅管的死区电压约为1V 硅晶体管的死区电压约为V（） 锗二极管的死区电压为0.1V。 锗二极管死区电压为0.1V，导通电压为0.3V（） 硅材料二极管的死区电压为（）V。 硅材料二极管的死区电压为（）V 导通后二极管两端电压变化很小，锗管约为V，硅管约为V 若锗管死区电压为0.3V,管子导通时所加的正向电压应是（） 锗管的死区电压为0.3V，管子导通时所加的正向电压应是（） 二极（锗）管的死区电压为（）。 二极（锗）管的死区电压为（） 锗二极管的死区电压约为（）