120°导通电压型六拍逆变器，每个开关管的驱动信号持续（）。

目前逆变器中广泛使用IGBT开关管,IGBT是型开关管（） 目前逆变器中广泛使用IGBT开关管,IGBT是型开关管（） 二极管的导通电压是（） 三相单双六拍每个循环周期，有六种通电状态，步距角为30°。 锗管的正偏导通电压为伏左右（） 硅二极管和导通电压约为（）. 锗管的正偏导通电压为（）伏左右 硅二极管的导通电压为（） 硅二极管的单项导通电压（） 硅管的导通电压一般为V（） 硅管的正偏导通电压为()伏左右。 锗管的正偏导通电压为（）V左右。 硅二极管的导通电压约为()。   电压型变频器的逆变器的典型结构是串联二极管式电压型逆变器（） 三相六拍通电方式 对于普通二极管，Si二极管导通电压的典型值约为伏，而Ge极管的导通电压典型值约为()伏。 T682型步进电机驱动器采用“六拍制”方式（） 锗二极管的导通电压为V（） 硅二极管的导通电压为V（） 二极管导通后硅管的导通电压一般取为（）V。