锗二极管的导通电压为V（）

硅二极管，它在反向电压下的漏电流比锗管小得多，但导通电压较高，约（）V。 锗二极管的正向导通电压是（）。 锗二极管的正向导通电压为()。 锗二极管的正向导通电压为（）。 锗二极管的正向导通电压力（） 锗二极管的正向导通电压为（） 若二极管的导通电压为0.3V，当阳极与阴极之间的电压大于（）V时，二极管导通 锗二极管导通压降是（）V 导通后二极管两端电压变化很小，锗管约为V（） 锗二极管门限电压是（）V 硅二极管导通时的正向压降为V，锗二极管导通时的正向压降为V（） 二极管导通后，其二极管两端电压变化很小，锗管约为（） 导通后二极管两端电压变化很小，锗管约为V，硅管约为V 锗材料二极管的死区电压为（）V。 锗材料二极管的死区电压为（）V 二极管的导通电压是（） 硅二极管的开启电压为0.5V左右，锗二极管为0.1V左右。 硅二极管的开启电压为0.5V左右，锗二极管为0.1V左右。 Si二极管的死区电压约为V，Ge二极管的死区电压约为V，Si二极管导通时的管压降约为V，Ge二极管导通时的管压降约为V 锗二极管的压降比硅二极管的要小，理论上锗二极管是0.3V，硅二极管是（）