锗管的正偏导通电压为（）伏左右

锗二极管的导通电压通常比硅二极管的高（） 对于普通二极管，Si二极管导通电压的典型值约为伏，而Ge极管的导通电压典型值约为()伏。 硅二极管和锗二极管的导通电压分别为 硅二极管，它在反向电压下的漏电流比锗管小得多，但导通电压较高，约（）V。 硅二极管的正向导通电压为（）伏左右 硅二极管的正向导通电压为伏左右（） 锗二极管正向导通电压应为（）。 锗二极管的正向导通电压为()。 锗二极管的正向导通电压是（）。 锗二极管的正向导通电压为（） 锗二极管的正向导通电压为（）。 锗二极管的正向导通电压力（） 硅管的导通电压（）。 三极管如果有基极电流的话，其BE极电压必须大于二极管的导通电压，如果是常用的硅三极管，这个导通电压大约是（）伏 二极管真正导通后，锗管的电压约为()V。 硅管的导通电压约为（）V 硅和锗三极管的门电压不同，分别为（）伏。 硅和锗三极管的门电压不同，分别为（）伏 导通后二极管两端电压变化很小，锗管约为V（） 若锗管死区电压为0.3V,管子导通时所加的正向电压应是（）