锗管的正偏导通电压为（）V左右。

硅管的导通电压约为（）V 二极管真正导通后，锗管的电压约为()V。 锗材料二极管的PN结导通电压典型值为()。 锗二极管的导通电压通常比硅二极管的高（） 晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，对于硅管约为（）V，锗管约为0.3V 晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，对于硅管约为（）V，锗管约为0.3V。 导通后二极管两端电压变化很小，锗管约为V，硅管约为V 硅二极管和锗二极管的导通电压分别为 导通后二极管两端电压变化很小，锗管约为V（） 若锗管死区电压为0.3V,管子导通时所加的正向电压应是（） 锗管的死区电压为0.3V，管子导通时所加的正向电压应是（） 硅二极管的开启电压为0.5V左右，锗二极管为0.1V左右。 硅二极管的开启电压为0.5V左右，锗二极管为0.1V左右。 硅管的导通电压一般为V（） 晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，对于硅管约为0.7V，锗管约为0.3V。 晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，对于硅管约为（），锗管约为0.3V。 晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，对于硅管约为0.7V，锗管约为（）。 硅二极管的导通电压为V（） 三极管正常放大时，发射结的正向导通电压变化不大，锗管约为V（） 锗pn结的正向导通电压大约为（）V