硅管的导通电压一般为V（）

硅管的正向导通电压为V（） 硅二极管和导通电压约为（）. 硅二极管的单项导通电压（） 硅二极管的导通电压为（） 硅管的正偏导通电压为()伏左右。 硅二极管的导通电压约为()。   导通后二极管两端的正向压降称为（）,硅管导通电压约为（）,锗管的导通电压约为（）   可控硅导通后，管压降一般约为（）V左右 可控硅导通后，管压降一般约为（）V左右 硅二极管，它在反向电压下的漏电流比锗管小得多，但导通电压较高，约（）V。 通常硅材料二极管的导通电压约为（） 硅二极管的死区电压一般为0.2V（） 硅二极管的死区电压一般为0.2V（） 锗管的正偏导通电压为（）V左右。 在常温下，硅二极管的导通电压是 二极管导通时的正向电压称为正向压降（或管压降）。一般正常工作时，硅管的正向压降是（）V。 二极管导通时的正向电压称为正向压降（或管压降）。一般正常工作时，硅管的正向压降是（）V 锗二极管的导通电压为V（） 二极管真正导通后，硅管的电压约为()V。 一般小功率硅管的管压降可为()V