二极管导通后硅管的导通电压一般取为（）V。

硅二极管导通时的正向压降为V，锗二极管导通时的正向压降为V（） 导通后二极管两端电压变化很小，锗管约为V，硅管约为V 硅二极管和锗二极管的导通电压分别为 硅二极管导通压降是（）V Si二极管的死区电压约为V，Ge二极管的死区电压约为V，Si二极管导通时的管压降约为V，Ge二极管导通时的管压降约为V 通常硅材料二极管的导通电压约为（） 二极管真正导通后，锗管的电压约为()V。 锗二极管的导通电压为V（） 实际电路中二极管导通时的正向压降硅管一般取（），锗管一般为（）。 一般情况下，硅二极管导通后的正向压降比锗二极管的要小（） 硅二极管导通时的正向管压降约V（） 硅二极管的正向导通电压一般是（）V。 在常温下，硅二极管的导通电压是 硅二极管导通后的管压降是（）伏。 硅二极管的导通压降为()。 二极管的导通电压是（） 二极管所加正向电压____死区电压时，二极管完全导通。 导通后二极管两端电压变化很小，锗管约为V（） 硅二极管的完全导通后的管压降约为()。 二极管导通后，其二极管两端电压变化很小，锗管约为（）