导通后二极管两端电压变化很小，锗管约为V（）

二极管导通后锗管的导通电压一般取为（）V。 导通后二极管两端的正向压降称为（）,硅管导通电压约为（）,锗管的导通电压约为（）   二极管两端正向电压大于电压时，二极管才导通（） 锗二极管导通压降是（）V 硅二极管导通时的正向压降为V，锗二极管导通时的正向压降为V（） 当二极管两端正向偏置电压大于死区电压，二极管才能导通。 当二极管处在正向电压作用下，管子两端正偏压很小（约1V左右）时便开始导通（） 锗二极管的导通电压为V（） 二极管两端加上0.7V的电压就能导通（） Si二极管的死区电压约为V，Ge二极管的死区电压约为V，Si二极管导通时的管压降约为V，Ge二极管导通时的管压降约为V 半导体二极管导通的条件是加在二极管两端的正向电压比二极管的死区电压（）。   当二极管两端所加正向电压大于其死区电压时，二极管才能导通（） 二极管导通后，正向电流和正向电压呈（）关系，正向电流变化较大时，二极管两端的正向压降近于（）,硅管的正向压降为（）,锗管的正向压降为（） 二极管真正导通后，硅管的电压约为()V。 锗二极管的正常导通管压降为（）。 稳压二极管在反向击穿区内电流变化较大时，二极管两端电压不变（） 锗二极管的导通电压通常比硅二极管的高（） 二极管的两端电压与电流的关系称作二极管的（）特性。 稳压二极管是依据二极管反向电流剧增，但二极管的端电压却变化很小的特点制作而成的（） 稳压二极管是依据二极管反向电流剧增，但二极管的端电压却变化很小的特点制作而成的。（）