Si二极管的死区电压约为V，Ge二极管的死区电压约为V，Si二极管导通时的管压降约为V，Ge二极管导通时的管压降约为V

一般来说，硅晶体二极管的死区电压大于锗晶体二极管的死区电压。 硅二极管的死区电压为 硅二极管的死区电压约为（） 硅二极管的死区电压约为（） 锗二极管的死区电压为（） 锗二极管的死区电压约为（） 硅二极管的死区电压约为（） 当二极管两端正向偏置电压大于死区电压，二极管才能导通。 半导体二极管导通的条件是加在二极管两端的正向电压比二极管的死区电压（）。   二极管的死区电压就是反向偏置电压。 二极管的死区电压就是反向偏置电压（） 硅材料二极管的死区电压为（） 普通硅二极管的死区电压为()。   当二极管两端所加正向电压大于其死区电压时，二极管才能导通（） 半导体二极管的死区电压和导通电压与二极管的材料没有关系（） 硅半导体二极管的死区电压约为（）。 单40、硅二极管的死区电压为（） 硅材料二极管的死区电压为（）V。 锗材料二极管的死区电压为（）V。 二极管的死区电压为0.5V（）