在温度20℃时某晶体管的，那么温度是60℃时约为（）

与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能高。() 随温度升高，晶体管的β值（） 温度升高,晶体管输入特性曲线 温度升高，晶体管的管压降│Ube│()。 温度升高,晶体管的管压降会: 温度升高时，放大电路中的晶体管的输出特性曲线将 当温度升高时，晶体管的参数和电流应发生如下变化。()   在使用晶体管时要注意温度的影响，温度升高了，UBR(CEO)和PCM都要降低使用。() 温度升高，晶体管输入特性曲线右移。() 温度升高,晶体管输出特性曲线 晶体管的穿透电流I_CEO随温度的升高而（）,由于硅晶体管的穿透电流比锗晶体管小，所以硅晶体管的（）比锗晶体管好。 温度升高，晶体管输出特性曲线上移。() 消防应急广播内部晶体管设定温度极限为（）℃。 在晶体三极管的主要特性参数中,集电极最大耗散功率是指当温度升高到晶体管的最高允许温度时,在集电极上所耗散的功率值。（） 在晶体管交流放大电路中,温度变化时将影响()。 在晶体管放大电路中，当集电极电流增大时，将使晶体管（）。 只有直接耦合放大电路中晶体管的参数才随温度变化。( ) 单结晶体管的发射极电压高于峰点电压时，晶体管（） 晶体管图示仪测量晶体管时可以改变特性曲线族之间的间距（） 测绘晶体管时要注意（）