晶体管的穿透电流I_CEO随温度的升高而（）,由于硅晶体管的穿透电流比锗晶体管小，所以硅晶体管的（）比锗晶体管好。

温度升高,晶体管的管压降会: 温度升高，晶体管的管压降│Ube│()。 温度升高,晶体管输入特性曲线 如下电路中的晶体管为硅管, β=100 ,则晶体管的工作状态为( )。 温度升高时，晶体管的电流放大系数β（） 温度升高,晶体管输出特性曲线 温度升高，晶体管输入特性曲线右移。() 晶体管温度超出其结温则晶体管功能失效（） 晶体管的穿透电流是衡量其热稳定性的一个重要参数，越大越好。 晶体管的参数受温度的影响较大，当温度升高时，晶体管的β、ICBO、UBE的变化情况为（　　）。 晶体管集电极电流在0.1A以下的晶体管称为（）。 晶体管集电极电流在0.5~1A的晶体管称为（）。 当温度升高时，晶体管的参数和电流应按如下变化（） 为了提高晶体管的发射能力，防止由于结温的升高导致晶体管烧毁，占空比越高越好。（6002）（） 晶体三极管的穿透电流Icbo与反向饱和电流Iceo的关系是（） 硅晶体三极管的穿透电流比锗晶体三极管的小。 硅晶体三极管的穿透电流比锗晶体三极管的小（） 晶体管的参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β、ICBO和UBE的变化情况分别为（　　）。 晶体管的电流放大作用是指晶体管的?电流约是电流的???倍。 下列晶体管结构中，在晶体管输出电流很大时常使用的是：（）