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随温度升高,晶体管的β值()
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随温度升高,晶体管的β值()
A. 增加
B. 减小
C. 不变
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晶体管在大电流工作时,随Ic的增加β值将()
晶体管在大电流工作时,随Ic的增加β值将()
当温度升高时,晶体管的参数和电流应按如下变化()
晶体管温度超出其结温则晶体管功能失效()
只有直接耦合放大电路中晶体管的参数才随温度变化。( )
与锗晶体管相比,硅晶体管的温度稳定性能(????? )。
温度升高时,放大电路中的晶体管的输出特性曲线将
与锗晶体管相比,硅晶体管的温度稳定性能高。()
功率场效应晶体管最大功耗随管壳温度的增高而()。
晶体管的参数受温度的影响较大,当温度升茼时,晶体管的β、、的变化情况为()
在使用晶体管时要注意温度的影响,温度升高了,UBR(CEO)和PCM都要降低使用。()
在晶体三极管的主要特性参数中,集电极最大耗散功率是指当温度升高到晶体管的最高允许温度时,在集电极上所耗散的功率值。()
为了提高晶体管的发射能力,防止由于结温的升高导致晶体管烧毁,占空比越高越好。(6002)()
晶体管的随着电压升高而相应增大()
晶体管的()随着电压升高而相应增大。
晶体三极管的电流放大倍数随温度升高而()。
晶体三极管的反向饱和电流随温度升高而()。
晶体管按材料不同可分为硅晶体管和锗晶体管。
温度升高,晶体管的电流放大系数β(),反向饱和电流ICBO()正向结电压uBE()。
温度升高,晶体管的电流放大系数β(),反向饱和电流ICBO()正向结电压uBE()
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