温度升高,晶体管的管压降会:

晶体管的参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β、ICBO和UBE的变化情况分别为（　　）。 单结晶体管单结晶体管管脚的判别先判断（） 当温度升高时，二极管导通压降会（）。‍ 当温度升高时，二极管导通压降会 晶体管的穿透电流I_CEO随温度的升高而（）,由于硅晶体管的穿透电流比锗晶体管小，所以硅晶体管的（）比锗晶体管好。 温度升高时，晶体管的电流放大系数β（） 当温度升高时，晶体三极管集电极电流 Ic ，发射结压降 。_ 当温度升高时，晶体管的参数和电流应按如下变化（） 当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic增大，发射结压降减小 温度升高时，放大电路中的晶体管的输出特性曲线将 当温度升高时，晶体管的参数和电流应发生如下变化。()   在晶体管管内电流分配规律中，Ie=（），符合（）定律 二极管正向导通后，硅管管压降约为（）,锗管管压降约为（）。 晶体管温度超出其结温则晶体管功能失效（） 在使用晶体管时要注意温度的影响，温度升高了，UBR(CEO)和PCM都要降低使用。() 与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能（????? ）。 与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能高。() 晶体管的参数受温度的影响较大，当温度升茼时，晶体管的β、、的变化情况为（） 小容量晶体管调速器由于采用了电流负反馈，有效地补偿了电枢内阻压降。 小容量晶体管调速器由于采用了电压负反馈，有效地补偿了电枢内阻压降。