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温度升高,晶体管输入特性曲线右移。()
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温度升高,晶体管输入特性曲线右移。()
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晶体管的输入特性和输出特性()。
晶体管输入特性为输入()之间的关系。
根据晶体管的输出特性曲线,不是晶体管的工作状态的是()
晶体管图示仪测量晶体管时可以改变特性曲线族之间的间距()
随温度升高,晶体管的β值()
温度升高,晶体管的管压降│Ube│()。
温度升高,晶体管的管压降会:
用晶体管图示仪测量晶体管时,调节可以改变特性曲线簇之间的间距()
晶体管的参数受温度的影响较大,当温度升高时,晶体管的β、ICBO、UBE的变化情况为( )。
三极晶体管的特性曲线是用来表示该晶体管各极()和()之间相互关系的,它反映晶体管的性能。
晶体管的饱和和截止特性称为晶体管的()特性。
晶体管特性图示仪是一种能够直接在 上显示各种晶体管特性曲线的专用测试仪器。
晶体三极管工作时,温度升高其死区电压();输入特性曲线()。
通常晶体管的输出特性曲线区分为( )区。
晶体管的穿透电流I
C
EO
随温度的升高而(),由于硅晶体管的穿透电流比锗晶体管小,所以硅晶体管的()比锗晶体管好。
晶体管的参数受温度影响较大,当温度升高时,晶体管的β、ICBO和UBE的变化情况分别为( )。
从晶体管的特性曲线簇上可以看到,晶体管有三种不同的工作状态()
在晶体二极管特性曲线的正向区,晶体管相当于()。
所谓晶体管输出特性曲线中的线性区域是指()。
所谓晶体管输出特性曲线中的线性区域是指( )。
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