热门试题
锗二极管的正向导通电压力（）
锗二极管的正向导通电压为（）。
锗二极管的正向导通电压为（）
锗二极管死区电压为0.1V，导通电压为0.3V（）
二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？
通常硅材料二极管的导通电压约为（）
二极管导通后，其二极管两端电压变化很小，锗管约为（）
半导体二极管的死区电压和导通电压与二极管的材料没有关系（）
二极管的PN结正向偏置时，二极管（）
二极管的导通电压是（）
二极管按材料分类为硅二极管和锗二极管（）
二极管真正导通后，锗管的电压约为()V。
锗材料二极管的死区电压为（）V。
锗材料二极管的死区电压为（）V
硅二极管和导通电压约为（）.
硅二极管的单项导通电压（）
硅二极管的导通电压为（）
二极管加正向电压时，PN结变窄，正向电流较大，正向电阻较小，PN结处于导通状态。()
硅二极管的导通电压为V（）
硅二极管，它在反向电压下的漏电流比锗管小得多，但导通电压较高，约（）V。
