实际电路中二极管导通时的正向压降硅管一般取（），锗管一般为（）。

二极管正向导通时的正向电压值称为管压降，一般小功率硅管的管压降可为（）V。 一般锗二极管的死区电压为（）,正向导通压降约为（）。 硅二极管的正向导通压降比锗二极管的大。（） 硅二极管的正向导通压降比锗二极管的大（） 二极管导通后锗管的导通电压一般取为（）V 二极管导通后锗管的导通电压一般取为（）V。 二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（） 二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（） 硅二极管导通时的正向管压降约V（） 二极管导通后硅管的导通电压一般取为（）V。 二极管导通后，正向电流和正向电压呈（）关系，正向电流变化较大时，二极管两端的正向压降近于（）,硅管的正向压降为（）,锗管的正向压降为（） 二极管的管压降：锗二极管正向管压降为（） 通常硅二极管的反向饱和电流小于锗二极管的反向饱和电流，正向管压降低于锗二极管的正向管压降。 二极管正向特征中有一死区，一般硅二极管的死区电压约为（）,锗二极管的死区电压约为（）   二极管正向导通后，硅管管压降约为（）,锗管管压降约为（）。 二极管的正向压降一般为（ ）。 锗二极管的正向压降比硅管大,锗管反向漏电流比硅管大（） 锗二极管的正向压降比硅管大，锗管反向漏电流比硅管大。 硅二极管的正向压降为（）,锗二极管的正向压降为（）。 导通后二极管两端的正向压降称为（）,硅管导通电压约为（）,锗管的导通电压约为（）