锗管的基极与发射极之间的正向压降比硅管的正向压降大。（）

二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（） 二极管的管压降：锗二极管正向管压降为（） 二极管导通时的正向电压称为正向压降（或管压降）。一般正常工作时，硅管的正向压降是（）V 二极管导通时的正向电压称为正向压降（或管压降）。一般正常工作时，硅管的正向压降是（）V。 二极管导通后，正向电流和正向电压呈（）关系，正向电流变化较大时，二极管两端的正向压降近于（）,硅管的正向压降为（）,锗管的正向压降为（） 通常硅二极管的反向饱和电流小于锗二极管的反向饱和电流，正向管压降低于锗二极管的正向管压降。 锗二极管的正向压降通常为（）。 硅二极管与锗二极管相比，一般反向电流较，正向压降较（） 一般情况下，硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（） 二极管的管压降：硅二极管正向管压降为（） 锗二极管正向导通压降约为V（） 硅二极管的正向压降为（）,锗二极管的正向压降为（）。 二极管正向导通时的正向电压值称为管压降，一般小功率硅管的管压降可为（）V。 二极管正向导通时，压降很小，硅管0.2-0.3V,锗管0.5-0.7V（） 当三极管正常放大时，发射结的正向导通压降变化不大．小功率硅管约为( )V，锗管约为( )V。 一般情况下，硅二极管导通后的正向压降比锗二极管的要小（） 硅二极管的正向管压降约为0.7V（） 硅二极管的正向导通压降约为 硅二极管导通时的正向管压降约V（） 实际电路中二极管导通时的正向压降硅管一般取（），锗管一般为（）。