硅二极管的正向导通压降约为

二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（） 硅二极管导通时.它两端的正向导通压降约为（） 锗二极管正向导通压降约为V（） 快恢复二极管的正向导通压降比普通二极管低。（ ） 一般硅二极管死区电压约为（）,正向导通时的管压降约为（）。 下列哪种二极管的正向导通压降最大？（ ） 下列哪种二极管的正向导通压降最小？（ ） 常温下,硅二极管的正向导通压降为 二极管的管压降：硅二极管正向管压降为（） 二极管正向导通时的正向电压值称为管压降，一般小功率硅管的管压降可为（）V。 肖特基二极管正向压降小，开启电压（），正向导通损耗小。 二极管正向导通时，压降很小，硅管0.2-0.3V,锗管0.5-0.7V（） 硅二极管的死区电压为           ,正向导通压降为          ;锗二极管的死区电压为          ,正向导通压降为        。   肖特纳二极管正向压降小，开启电压低，正向导通损耗小（） 在常温常压下，锗二极管的正向导通压降约为（） 二极管正向导通后，电流迅速上升，管压降也随者上升（） 二极管正向导通时，锗管的电压降约为（） 硅二极管导通时的正向压降为V，锗二极管导通时的正向压降为V（） 二极管主要特性是具有单向导电性，当正向导通时，硅管的电压降约为（） 一般锗二极管的死区电压为（）,正向导通压降约为（）。