二极管的管压降：硅二极管正向管压降为（）

一般情况下，硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（） 硅二极管导通时的正向管压降约V（） 锗二极管的正向压降通常为（）。 硅二极管导通压降是（）V 一般情况下，硅二极管导通后的正向压降比锗二极管的要小（） 锗二极管正向导通压降约为V（） 在常温常压下，硅二极管的正向导通压降约为（） 硅二极管导通后的管压降是（）伏。 二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（） 二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（） Si二极管的死区电压约为V，Ge二极管的死区电压约为V，Si二极管导通时的管压降约为V，Ge二极管导通时的管压降约为V 二极管1N4007的正向压降约为（） 锗二极管的正向压降比硅管大,锗管反向漏电流比硅管大（） 锗二极管的正向压降比硅管大，锗管反向漏电流比硅管大。 硅材料电力二极管正向压降为（） 二极管导通时的正向电压称为正向压降（或管压降）。一般正常工作时，硅管的正向压降是（）V。 二极管导通时的正向电压称为正向压降（或管压降）。一般正常工作时，硅管的正向压降是（）V 硅二极管导通时的正向压降为V，锗二极管导通时的正向压降为V（） 硅二极管的正向电阻（）锗二极管的正向电阻。 硅二极管的完全导通后的管压降约为()。