硅二极管与锗二极管相比，一般反向电流较，正向压降较（）

二极管的管压降：锗二极管正向管压降为（） 硅二极管的正向压降为（）,锗二极管的正向压降为（）。 二极管的管压降：硅二极管正向管压降为（） 锗二极管的压降比硅二极管的要小，理论上锗二极管是0.3V，硅二极管是（） 一般情况下，硅二极管导通后的正向压降比锗二极管的要小（） 硅二极管的反向漏电流比锗二极管的反向漏电流大。（） 硅二极管的反向漏电流比锗二极管的反向漏电流大。   硅二极管的正向电阻（）锗二极管的正向电阻。 硅二极管的反向漏电流比锗二极管的反向漏电流大。（小）（） 二极管正向特征中有一死区，一般硅二极管的死区电压约为（）,锗二极管的死区电压约为（）   同温下，硅二极管的反向饱和电流大于锗二极管的反向饱和电流（） 锗二极管允许工作温度较硅二极管高，一般用其制成中、大功率的二极管。 锗二极管允许工作温度较硅二极管高，一般用其制成中、大功率的二极管（） 二极管按材料分类为硅二极管和锗二极管（） 锗二极管的正向压降通常为（）。 在相同大小的反向电压作用下，硅二极管的反向饱和电流常           于锗二极管的反向饱和电流，所以硅二极管的热稳性能较           。   硅二极管导通时的正向压降为V，锗二极管导通时的正向压降为V（） 二极管导通后，正向电流和正向电压呈（）关系，正向电流变化较大时，二极管两端的正向压降近于（）,硅管的正向压降为（）,锗管的正向压降为（） 二极管的正向电流大、反向电流小，说明二极管具有（）。 二极管正向导通后，硅管管压降约为（）,锗管管压降约为（）。