二极管的死区电压为0.5V（）

加在二极管上的正向电压大于死区电压时二极管。 硅材料二极管的死区电压为0.3V。 当二极管正向偏置电压小于死区电压时二极管才能导通。 要使二极管正向导通，外加正向电压必须大于二极管的死区电压。 要使二极管正向导通，外加正向电压必须大于二极管的死区电压（） 一般来说，硅晶体二极管的死区电压大于锗晶体二极管的死区电压。 锗二极管死区电压为0.1V，导通电压为0.3V（） 当二极管两端正向偏置电压大于死区电压，二极管才能导通。 硅二极管的死区电压为 硅二极管的死区电压约为（） 硅二极管的死区电压约为（） 锗二极管的死区电压为（） 锗二极管的死区电压约为（） 硅二极管的死区电压约为（） 硅二极管的死区电压一般为0.2V（） 硅二极管的死区电压一般为0.2V（） 二极管的死区电压就是反向偏置电压。 二极管的死区电压就是反向偏置电压（） 硅材料二极管的死区电压为（） 普通硅二极管的死区电压为()。