晶体管工作在放大状态时，发射结反偏，硅管约为0.7V，锗管约为0.3V。

当晶体管发射结正偏，晶体管工作在放大区。（） 工作在放大状态的晶体管，应满足发射结反偏，集电结正偏（） 晶体管工作在（）状态时，发射结正偏，集电结反偏。 当晶体管的发射结正偏时，晶体管一定工作在放大状态（） 硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时，其发射结电压U_BE分别为（）V和V（）。   当晶体管的发射结正偏时，晶体管一定工作在放大区（） 当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为前者反偏、后者也反偏。() 当晶体管的发射结正偏的时候，晶体管一定工作在放大区（） 当晶体管的发射结正偏的时候，晶体管一定工作在放大区（） 当晶体管的发射结正偏，集电结正偏，晶体管处于饱和状态。 晶体管能够实现放大的外部条件是发射结和集电结都反偏 晶体管处于饱和状态时，它的集电结（）偏，发射结（）偏。 晶体管具有放大作用时，它的集电结（）偏，发射结（）偏。 晶体管工作在放大区时，发射结处于（） 晶体管工作在放大区时，发射结要（） 晶体管工作在放大状态时，必须满足外加电压发射结（），集电结（）。 发射结正偏，集电结反偏是晶体管工作在区的外部条件（） 工作在放大区的晶体管发射结 且集电结 晶体管工作在放大区时,发射结和集电结应( )。 晶体管工作在放大区时，发射结处于反向偏置（）