晶体管工作在放大区时，发射结处于（）

当晶体管的发射结正偏时，晶体管一定工作在放大区（） 当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为前者反偏、后者也反偏。() 晶体管工作在截止区发射结处于反向偏置，集电结处于反向偏置，晶体管工作于截止状态UCE=0。() 晶体管工作在截止区发射结处于正向偏置，集电结处于正向偏置，晶体管工作于截止状态UCE=0。() 当晶体管的发射结正偏的时候，晶体管一定工作在放大区（） 当晶体管的发射结正偏的时候，晶体管一定工作在放大区（） 晶体管工作在放大区时，集电结处于（） 三极管工作在放大区时，发射结和集电结分别处于()。 晶体三极管工作在放大区时，集电结应反偏置,发射结应偏置 晶体管工作在（）状态时，发射结正偏，集电结反偏。 晶体管工作在放大区时，集电接处于（） 晶体管工作在饱和区发射结处于正向偏置，集电结也处于正偏。晶体管集—射极的电压很小。() 晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，对于硅管约为（），锗管约为0.3V。 晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，对于硅管约为0.7V，锗管约为（）。 当晶体管处于放大状态时，其特征是：发射结处于（）偏置，集电结处于反向偏置。 当晶体三极管的发射结 （ ） ，集电结 （ ） 时，工作在放大区；发射结 （ ） ，集电结 （ ） 时，工作在饱和区。 当晶体管工作在饱和区时，发射结和集电结的电压应为（） 晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，对于硅管约为（）V，锗管约为0.3V。 晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，对于硅管约为（）V，锗管约为0.3V 晶体管工作在放大状态时，发射结()，对于硅管约为0.7V，锗管约为0.3V。