晶体管工作在放大状态时，必须满足外加电压发射结（），集电结（）。

工作在放大状态的晶体管，应满足发射结反偏，集电结正偏（） 晶体管工作在截止区发射结处于反向偏置，集电结处于反向偏置，晶体管工作于截止状态UCE=0。() 晶体管工作在截止区发射结处于正向偏置，集电结处于正向偏置，晶体管工作于截止状态UCE=0。() 晶体管工作在放大区时，发射结处于（） 晶体管工作在放大区时，发射结要（） 工作在放大区的晶体管发射结 且集电结 当晶体管发射结正偏，晶体管工作在放大区。（） 晶体管工作在放大区时，发射结处于反向偏置（） 晶体管工作在饱和区发射结处于正向偏置，集电结也处于正偏。晶体管集—射极的电压很小。() 发射结正偏，集电结反偏是晶体管工作在区的外部条件（） 当晶体管处于放大状态时，其特征是：发射结处于（）偏置，集电结处于反向偏置。 晶体管工作在放大区时，集电结处于（） 要使三极管工作在放大状态，发射结应加正向电压，集电结也应加正向电压（） 要使晶体管起放大作用，发射结必须正向偏置，而集电结必须反向偏置（） 要使NPN晶体管放大器正常工作，必须是发射结和集电结都加正向偏压。 要使NPN晶体管放大器正常工作，必须是发射结和集电结都加正向偏压（） 三极管处于放大状态时发射结集电结的状态分别是正向偏置、（）。 晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，对于硅管约为（），锗管约为0.3V。 晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，对于硅管约为0.7V，锗管约为（）。 三极管工作在放大状态时，发射结应（）偏置，集电结应（）偏置。