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晶体管具有放大作用时,它的集电结()偏,发射结()偏。
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晶体管具有放大作用时,它的集电结()偏,发射结()偏。
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晶体三极管放大工作区的特点是:发射结反偏,集电结正偏,具有放大电的作用()
晶体三极管具有放大作用,发射结和集电结必须分别加()。
晶体三极管放大状态的外部条件是发射结正偏、集电结反偏且发射结正偏电压必须大于死区电压()
当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为前者反偏、后者也反偏。()
当晶体管的发射结正偏时,晶体管一定工作在放大状态()
当晶体管的发射结正偏时,晶体管一定工作在放大区()
工作在放大区的晶体管发射结 且集电结
晶体三极管电流放大的偏置条件是发射结正偏,集电结正偏。
晶体三极管电流放大的偏置条件是发射结正偏,集电结正偏()
当晶体管的发射结正偏的时候,晶体管一定工作在放大区()
当晶体管的发射结正偏的时候,晶体管一定工作在放大区()
TTL集成门电路,当输入端全为高电平时,多发射极晶体管发射结()偏,集电结分别存在()偏。
TTL集成门电路,当输入端全为高电平时,多发射极晶体管发射结()偏,集电结分别存在()偏
三极管的放大条件:发射结反偏、集电结正偏()
三极管放大区的放大条件为发射结正偏,集电结反偏。
发射结正偏,集电结反偏是晶体管工作在区的外部条件()
中国大学MOOC: 晶体三极管在放大状态下有:发射结正偏,集电结反偏。
三极管放大区的放大条件为发射结反偏或零偏,集电结反偏。
晶体三极管电流放大的偏置条件是发射结正偏,集电结()。
晶体管工作在饱和区发射结处于正向偏置,集电结也处于正偏。晶体管集—射极的电压很小。()
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