硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时，其发射结电压U_BE分别为（）V和V（）。  

晶体管工作在放大状态时，发射结()，对于硅管约为0.7V，锗管约为0.3V。 当晶体管的发射结正偏时，晶体管一定工作在放大状态（） 当晶体管工作在放大区时，发射结和集电结的电压应为（） 晶体管工作在放大区时,发射结和集电结应( )。 晶体管工作在放大状态时，发射结反偏，硅管约为0.7V，锗管约为0.3V。 晶体管工作在放大状态时，发射结反偏，对于硅管约为0.7v，锗管约为0.3v。（） 晶体管工作在放大状态时，发射结反偏，对于硅管约为0.7v，锗管约为0.3v（） 晶体管工作在放大状态时，发射结反偏，对于硅管约为0.7V，锗管约为0.3V。 晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，对于硅管约为0.7V，锗管约为0.3V。 晶体管工作在放大区时，发射结处于反向偏置（） 当晶体管的发射结正偏时，晶体管一定工作在放大区（） 晶体管工作在截止区发射结处于正向偏置，集电结处于正向偏置，晶体管工作于截止状态UCE=0。() 晶体管工作在截止区发射结处于反向偏置，集电结处于反向偏置，晶体管工作于截止状态UCE=0。() 晶体管工作在（）状态时，发射结正偏，集电结反偏。 当晶体管工作在饱和区时，发射结和集电结的电压应为（） 工作在放大区的晶体管发射结 且集电结 晶体管按材料不同可分为硅晶体管和锗晶体管。 当晶体管的发射结正偏的时候，晶体管一定工作在放大区（） 当晶体管的发射结正偏的时候，晶体管一定工作在放大区（） 晶体管工作在放大区的条件是：发射结（________）偏置，集电结（________）偏置