晶体管工作在放大状态时，发射结()，对于硅管约为0.7V，锗管约为0.3V。

当晶体管发射结正偏，晶体管工作在放大区。（） 当晶体管的发射结正偏时，晶体管一定工作在放大状态（） 晶体管放大电路，放大状态的静态I点，发射极电压Ube，硅管为0.6～0.8V，锗管为0.12～0.3V（） 晶体管工作在放大状态时，必须满足外加电压发射结（），集电结（）。 当晶体管的发射结正偏时，晶体管一定工作在放大区（） 晶体管工作在放大区时，发射结处于（） 晶体管工作在放大区时，发射结要（） 工作在放大区的晶体管发射结 且集电结 晶体管工作在放大区时,发射结和集电结应( )。 晶体管工作在放大区时，发射结处于反向偏置（） 工作在放大状态的晶体管，应满足发射结反偏，集电结正偏（） 当晶体管的发射结正偏的时候，晶体管一定工作在放大区（） 当晶体管的发射结正偏的时候，晶体管一定工作在放大区（） 当三极管正常放大时，发射结的正向导通压降变化不大．小功率硅管约为( )V，锗管约为( )V。 当晶体管工作在放大区时，发射结和集电结电压应为（） 晶体管工作在（）状态时，发射结正偏，集电结反偏。 当晶体管工作在放大区时，发射结和集电结的电压应为（） 当晶体管处于放大状态时，其特征是：发射结处于（）偏置，集电结处于反向偏置。 当晶体管的发射结正偏，集电结正偏，晶体管处于饱和状态。 晶体管工作在放大区的条件是：发射结（________）偏置，集电结（________）偏置