通常硅管导通时的正向压降约为（）

二极管导通后，正向电流和正向电压呈（）关系，正向电流变化较大时，二极管两端的正向压降近于（）,硅管的正向压降为（）,锗管的正向压降为（） 二极管正向导通时的正向电压值称为管压降，一般小功率硅管的管压降可为（）V。 二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（） 二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（） 导通后二极管两端的正向压降称为（）,硅管导通电压约为（）,锗管的导通电压约为（）   实际电路中二极管导通时的正向压降硅管一般取（），锗管一般为（）。 硅二极管的正向导通压降约为 二极（硅）管的导通压降约为（） 二极管正向导通后，硅管管压降约为（）,锗管管压降约为（）。 硅二极管导通压降是（）V 绪二极管导通时的管压降约V（） 硅管的死区电压约为（）,锗管的死区电压约为（）;硅管的正向压降约为（）,锗管的正向压降约为（）。 硅二极管导通后的管压降是（）伏。 一般硅二极管死区电压约为（）,正向导通时的管压降约为（）。 硅二极管的完全导通后的管压降约为()。 硅稳压管加正向电压超过（）电压时导通。 在常温常压下，硅二极管的正向导通压降约为（） 锗晶体管的导通压降约|UBE|为( ) 二极管正向导通时，压降很小，硅管0.2-0.3V,锗管0.5-0.7V（） 锗管的基极与发射极之间的正向压降比硅管的正向压降大。（）