一般硅二极管死区电压约为（）,正向导通时的管压降约为（）。

硅二极管的正向导通压降比锗二极管的大（） 要使二极管正向导通，外加正向电压必须大于二极管的死区电压。 要使二极管正向导通，外加正向电压必须大于二极管的死区电压（） 二极管导通时的正向电压称为正向压降（或管压降）。一般正常工作时，硅管的正向压降是（）V。 二极管导通时的正向电压称为正向压降（或管压降）。一般正常工作时，硅管的正向压降是（）V 二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（） 二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（） 硅二极管正向导通，其管压降为()。 二极管正向导通时，锗管的电压降约为（） 在常温常压下，硅二极管的正向导通压降约为（） 硅二极管导通时.它两端的正向导通压降约为（） 肖特基二极管正向压降小，开启电压（），正向导通损耗小。 Si二极管的死区电压约为V，Ge二极管的死区电压约为V，Si二极管导通时的管压降约为V，Ge二极管导通时的管压降约为V 二极管所加正向电压____死区电压时，二极管完全导通。 快恢复二极管的正向导通压降比普通二极管低。（ ） 一般来讲，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。() 二极管的管压降：硅二极管正向管压降为（） 锗二极管正向导通压降约为V（） 二极管正向导通时，压降很小，硅管0.2-0.3V,锗管0.5-0.7V（） 二极管主要特性是具有单向导电性，当正向导通时，硅管的电压降约为（）