半导体二极管的死区电压和导通电压与二极管的材料没有关系（）

锗二极管的导通电压通常比硅二极管的高（） 当二极管两端所加正向电压大于其死区电压时，二极管才能导通（） 硅二极管和导通电压约为（）. 半导体二极管电阻与电压的关系曲线，叫做二极管的伏安特性曲线。 二极管的导通电压是（） 一般来说，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压（） 通常硅材料二极管的导通电压约为（） 要使二极管正向导通，外加正向电压必须大于二极管的死区电压。 要使二极管正向导通，外加正向电压必须大于二极管的死区电压（） 半导体二极管又称为晶体二极管（） 硅材料二极管的死区电压为（） 半导体二极管按（）可分为硅二极管和锗二极管两类。 硅二极管的导通电压为（） 硅二极管的单项导通电压（） 半导体二极管加正向电压时，有（） 二极管两端电压大于（）电压时，二极管才导通 锗二极管死区电压为0.1V，导通电压为0.3V（） 若二极管的导通电压为0.3V，当阳极与阴极之间的电压大于（）V时，二极管导通 对于普通二极管，Si二极管导通电压的典型值约为伏，而Ge极管的导通电压典型值约为()伏。 锗材料二极管的死区电压为（）V。