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晶体管的反向和饱ICBO电流越小,说明晶体管的稳定性越好。()
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晶体管的反向和饱ICBO电流越小,说明晶体管的稳定性越好。()
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晶体管的穿透电流I
C
EO
随温度的升高而(),由于硅晶体管的穿透电流比锗晶体管小,所以硅晶体管的()比锗晶体管好。
晶体管的参数受温度的影响较大,当温度升高时,晶体管的β、ICBO、UBE的变化情况为( )。
关于晶体管反向漏电流,以下说法正确是()
晶体管集电极电流在0.1A以下的晶体管称为()。
晶体管集电极电流在0.5~1A的晶体管称为()。
关于晶体管的反向漏电流,相同功率的锗管反向漏电流大于()反向漏电流。
晶体管的电流放大作用是指晶体管的?电流约是电流的???倍。
场效应晶体管具有稳定性差、噪声低、成本高等特点。
下列晶体管结构中,在晶体管输出电流很大时常使用的是:()
在晶体管放大电路中,当集电极电流增大时,将使晶体管()。
晶体管的穿透电流是衡量其热稳定性的一个重要参数,越大越好。
场效晶体管也是一种具有放大能力的晶体管,但它的控制方式与晶体管不同,晶体管是利用输入电流去控制输出电流,是电流控制器件,而场效晶体管是利用输入电压来控制输出电流,是电压控制器件
可关断(GTO)晶体管是,要使GTO晶体管关断,必须在门极上施加一个反向的大脉冲电流及反向电压()
晶体管—晶体管电路形式指是(4052)()
单结晶体管是特殊晶体管
电力晶体管属于双极型晶体管()
电力晶体管属于双极型晶体管。
晶体管V1的=50,晶体管V2的=30,若两管组成复合晶体管,则该复合晶体管的p约为()
电晶体管集—基极反向截止电流ICBO是由少数载流子的漂移运动所形成的电流,受温度的影响大。()
晶体管的穿透电流ICEO大,说明其()
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