电晶体管集—基极反向截止电流ICBO是由少数载流子的漂移运动所形成的电流，受温度的影响大。()

晶体三极管的开关特性是指控制基极电流，使晶体管处于放大状态和截止关闭状态。 已知一个晶体管的ICEO＝200μA，当基极电流为20μA时，集电极电流为1mA，则该管的ICBO约等于（ ） 当二极管加反向电压时，二极管将有很小的反向电流通过，这个反向电流是由P型和N型半导体中少数载流子中漂移运动产生的。 当二极管加反向电压时，二极管将有很小的反向电流通过，这个反向电流是由P型和N型半导体中少数载流子中漂移运动产生的（） 当晶体管的集电极电流增量与基极电流增量之比几乎不变时，晶体管处于（）。 已知一个晶体管的ICEO为200μA，当基极电流为20μA时，集电极电流为1mA，则该管的ICBO约等于（） 关于晶体管的反向漏电流，相同功率的锗管反向漏电流大于（）反向漏电流。 半导体中有（）和（）两种载流子。N型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）P型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）。 半导体中有（）和（）两种载流子。N型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）P型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（） 在PN节之间加反向电压，多数载流子扩散被抑制，反向电流几乎为零，就形成了PN节截止（） 晶体管在放大区工作时基极静态工作电流为（） 晶体管在放大区工作时基极静态工作电流为（） N型半导体中多数载流子是_______少数载流子是______ 在温度20℃时某晶体管的ICBO＝2μA，那么温度是60℃时ICBO约为（　　）。 在二极管加反向电压时，由于少数载流子的漂移作用，形成很小的（） 晶体三极管的穿透电流Icbo与反向饱和电流Iceo的关系是（） 在P型半导体中，（）是多数载流子，（）是少数载流子。 在N型半导体中（）是多数载流子，（）是少数载流子。 在N型半导体中（）是多数载流子，（）是少数载流子 晶体管中三个电流的关系是发射极电流=集电极电流+基极电流（）