关于晶体管的反向漏电流，相同功率的锗管反向漏电流大于（）反向漏电流。

晶体管的反向和饱ICBO电流越小，说明晶体管的稳定性越好。() 在反向击穿前，二极管的反向漏电流随着反向电压的增大而（） 同温下，硅二极管的反向饱和电流大于锗二极管的反向饱和电流（） 硅二极管的反向电流比锗二极管的反向电流（） 反向漏电流的增大会影响二极管（） 单结晶体管的IP是正向漏电流，它是使单结晶体管导通所需的电流（） 硅二极管，它在反向电压下的漏电流比锗管小得多，但导通电压较高，约（）V。 晶体管的反向饱和电流是指发射极e开路时（）极之间的反向饱和电流 晶体管穿透电流ICEO是反向饱和电流ICBO的（）倍，在选用晶体管的时候，一般希望ICBO尽量（） 可关断（GTO）晶体管是，要使GTO晶体管关断，必须在门极上施加一个反向的大脉冲电流及反向电压（） 肖特基二极管的耐压较低，反向漏电流较大，（）较差。 若反向漏电流较大，则说明二极管性能不好。（） 反向饱和电流，又称反漏电流 通常硅二极管的反向饱和电流小于锗二极管的反向饱和电流，正向管压降低于锗二极管的正向管压降。 温度升高，晶体管的电流放大系数β（），反向饱和电流ICBO（）正向结电压uBE（）。 温度升高，晶体管的电流放大系数β（），反向饱和电流ICBO（）正向结电压uBE（） 场效应晶体管的栅源电压变化可以控制漏电流变化。（） 场效应晶体管的栅源电压变化可以控制漏电流变化（） 二极管的反向漏电流越小，其单向导电性能就越好 通常，硅二极管的反向饱和电流比锗管的小（）