为了使晶体管在放大器中正常工作，需要发射结外加（）电压，集电结外加（）电压。

晶体管放大电路的基本原则是：外加电源使发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置。 晶体管放大电路的基本原则是：外加电源使发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置（） 当晶体管的发射结正偏的时候，晶体管一定工作在放大区（） 当晶体管的发射结正偏的时候，晶体管一定工作在放大区（） 当晶体管工作在放大区时，发射结和集电结电压应为（） 晶体管工作在饱和区发射结处于正向偏置，集电结也处于正偏。晶体管集—射极的电压很小。() 晶体管工作在放大区时，发射结处于（） 晶体管工作在放大区时，发射结要（） 当晶体管工作在放大区时，发射结和集电结的电压应为（） 工作在放大状态的晶体管，应满足发射结反偏，集电结正偏（） 在晶体管放大电路中，发射结加的是反向电压，集电极加的是正向电压。 在晶体管放大电路中，发射结加的是反向电压，集电极加的是正向电压（） 晶体管工作在放大区时,发射结和集电结应( )。 晶体管工作在放大区时，发射结处于反向偏置（） 为了使晶体管能够有效的起放大作用，其管芯结构总是使发射区掺杂浓度高，基区宽度小，集点结面积比发射结面积小（） 晶体管具有放大作用时，它的集电结（）偏，发射结（）偏。 硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时，其发射结电压U_BE分别为（）V和V（）。   功率放大器晶体管一般工作在高电压状态。 功率放大器晶体管一般工作在高电压状态（） 晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，对于硅管约为（），锗管约为0.3V。