为了提高晶体管的发射能力，防止由于结温的升高导致晶体管烧毁，占空比越高越好。（6002）（）

晶体管的穿透电流I_CEO随温度的升高而（）,由于硅晶体管的穿透电流比锗晶体管小，所以硅晶体管的（）比锗晶体管好。 工作在放大区的晶体管发射结 且集电结 共发射极接法的基本交流放大电路中，电源UCC的作用是：保证了晶体管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，即提供了晶体管放大的必要条件。() 单结晶体管的发射极电压高于峰点电压时，晶体管（） 单结晶体管是一个特殊的晶体管，它只有PN结，所以称为单结晶体管（） 晶体管工作在饱和区发射结处于正向偏置，集电结也处于正偏。晶体管集—射极的电压很小。() 晶体管处于截止状态时，集电结和发射结的偏置情况为（）。 晶体管具有放大作用时，它的集电结（）偏，发射结（）偏。 晶体管处于饱和状态时，它的集电结（）偏，发射结（）偏。 当晶体管的两个PN结都正偏时，则晶体管处于（） 单结晶体管是由一个发射极和（）组成的晶体管。 当晶体管的发射节正偏时，晶体管一定工作在放大区（） 晶体管处于饱和状态时,集电结和发射结的偏置情况为 晶体管在饱和状态时的条件是发射结()偏置，集电结()偏置。 晶体管符号中的箭头表示发射结导通时电流的方向。 当单结晶体管发射极电压低于（ ）电压，单结晶体管截止。 绝缘栅双极型晶体管IGBT是以场效应晶体管作为基极，以电力晶体管作为发射极与集电极复合而成（） 三极管处于截止状态的条件是晶体管的发射结正偏。（） 三极管处于截止状态的条件是晶体管的发射结正偏（） 随温度升高，晶体管的β值（）