光刻中影响甩胶后光刻胶膜厚的因素有（）、（）、（）、（）。

负性和正性光刻胶有什么区别和特点？ 解释光刻胶选择比。要求的比例是高还是低？ 光学光刻中影响图像质量的两个重要参数是什么？ 典型的DUV光刻胶曝光剂量的宽容度是多少？ 在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么？ 用g线和i线进行曝光时通常使用哪种光刻胶（）。 通过负光刻胶定义的图形与所需要制备的图形相反。 在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，CA的含义是（）。 在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，它的优点在于（）。 在CMOS工艺中，通常采用对光刻胶曝光显影来实现所设计结构的图案制备（） 砌体结构中影响墙允许墙高厚比的因素有（）。 砌体结构中影响墙、柱允许高厚比计算的因素有（）。 光刻技术 试分析4次光刻中第2次光刻的工艺方案。 试分析4次光刻中第2次光刻的工艺方案 砌体结构中影响到墙、柱高厚比计算的因素有( )。 什么叫光刻？光刻工艺质量的基本要求是什么？ 数字投影微光刻技术相较于传统平面光刻的优势为 （名词解析） 光刻 利用正光刻胶曝光、显影、蚀刻的过程中，掩膜版上透光图案对应的基底部位将被蚀刻掉。