试分析4次光刻中第2次光刻的工艺方案

简述4次光刻的工艺流程。 简述4次光刻的工艺流程 简述光刻工艺的8个基本步骤 述5次光刻中第5次像素电极光刻形成的ITO的作用。 述5次光刻中第5次像素电极光刻形成的ITO的作用 光刻技术中的反刻工艺，通常应用于（ ）的情况。 试根据5次光刻的工艺流程绘制等效电路。 简述7次光刻的第二次光刻中O2灰化的作用 光刻工艺中的曝光和显影工序必须在_（）__光室中进行。 简述5次光刻的工艺流程。 简述5次光刻的工艺流程 中国大学MOOC: 在光刻工艺中，前烘的主要目的是（）。 光刻工艺一般都要经过涂胶、（）、曝光、（）、坚膜、腐蚀、（）等步骤。 典型的光刻工艺主要有哪几步？简述各步骤的作用。 超大规模集成电路需要光刻工艺具备的要求有（）。 光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺（） 试分析在背沟道阻挡结构的第二次光刻中，采用了背曝光为什么还要采用一次曝光？直接使用一次曝光不行吗？ 试分析在背沟道阻挡结构的第二次光刻中，采用了背曝光为什么还要采用一次曝光？直接使用一次曝光不行吗 试画出9次光刻的多晶硅薄膜晶体管的等效电路图。 中国大学MOOC: 光刻工艺中的分辨率是指能精确转移到晶片表面抗蚀剂上图案的最小尺寸。