硅二极管导道的饱和压降为（）

硅二极管的正向导通压降比锗二极管的大（） 一般情况下，硅二极管导通后的正向压降比锗二极管的要小（） 硅二极管的导通压降为()。 硅二极管导通低压降是（）伏左右. Si二极管的死区电压约为V，Ge二极管的死区电压约为V，Si二极管导通时的管压降约为V，Ge二极管导通时的管压降约为V 二极（硅）管的导通压降约为（） 硅二极管导通时的正向压降为V，锗二极管导通时的正向压降为V（） 硅二极管与锗二极管相比，一般反向电流较，正向压降较（） 硅二极管的正向导通压降约为 锗二极管导通压降是（）V 硅二极管的正向管压降约为0.7V（） 二极管的管压降：锗二极管正向管压降为（） 硅二极管导通时.它两端的正向导通压降约为（） 一般情况下，硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（） 绪二极管导通时的管压降约V（） 二极管导通时的正向电压称为正向压降（或管压降）。一般正常工作时，硅管的正向压降是（）V。 二极管导通时的正向电压称为正向压降（或管压降）。一般正常工作时，硅管的正向压降是（）V 锗二极管的导通电压通常比硅二极管的高（） 当温度升高时，二极管导通压降会 当温度升高时，二极管导通压降会（）。‍