碲镉汞器件的波长范围λ为（）。

THDS-A探测系统中直流探头中测温元件为碲镉汞光子器件（） THDS-A设备温控板是控制碲镉汞器件温度的电路板，具有种控制模式（） 碲锡汞是碲化镉与碲化汞的固溶体，可用来制作（）元件。 THDS-BS系统制冷板是控制碲镉汞器件温度的电路板，控制模式为（） HTK-499型单光子探测系统，元件温度不稳定或有跳变，容易造成探头碲镉汞器件的响应率稳定（） THDS（哈科所）探测站,红外轴温探测系统元件温度不稳定或有跳变，容易造成探头碲镉汞器件的变化（） 碲镉汞响应时间常数比热敏电阻小（）数量级 THDS-A（哈科所）红外轴温探测系统，元件温度不稳定或有跳变，容易造成探头碲镉汞器件的响应率稳定（） THDS-A（哈科所）探测站,红外轴温探测系统元件温度不稳定或有跳变，容易造成探头碲镉汞器件的变化（） THDS-C（哈科所）探测站,红外轴温探测系统元件温度不稳定或有跳变，容易造成探头碲镉汞器件的变化（） THDS-A（哈科所）探测站,红外轴温探测系统元件温度不稳定或有跳变，容易造成探头碲镉汞器件的灵敏率（） 碲化镉 THDS（哈科所）探头温控板是控制碲镉汞元件温度的电路板，具有3种调整制冷方式（） THDS（哈科所）探测站,红外轴温探测系统光子探头碲镉汞元件温度调整，具有种调整制冷方式（） THDS-B（哈科所）探头温控板是控制碲镉汞元件温度的电路板，具有3种调整制冷方式（） THDS-C（哈科所）探测站中制冷控制板是控制碲镉汞元件温度的电路板，具有3种调整制冷方式（） THDS-B（哈科所）探测站中制冷控制板是控制碲镉汞元件温度的电路板，具有3种调整制冷方式（） THDS（哈科所）探测站的光子探头的主要光子器件是采用HgCdTe（锑镉汞）作为核心元件（） THDS-B（哈科所）探测站的光子探头的主要光子器件是采用HgCdTe（锑镉汞作为核心元件）（） 目前常用的EDFA器件的工作波长范围为__。[]（）