THDS-A探测系统中直流探头中测温元件为碲镉汞光子器件（）

THDS-A（哈科所）探测站,红外轴温探测系统光子探头元件温度超过正常值范围，有可能造成探头测温（） HTK-499型单光子探测系统，光子探头元件温度异常可能与光子探头有关（） THDS-C（哈科所）探测站,红外轴温探测系统光子探头元件温度超过正常值范围，有可能造成探头测温（） THDS（哈科所）探测站的光子探头的主要光子器件是采用HgCdTe（锑镉汞）作为核心元件（） THDS（哈科所）探测站,红外轴温探测系统碲镉汞器件需要在低温条件下工作，以获得比较高的响应率和，因此要对碲镉汞进行制冷，降低器件温度（） THDS-B（哈科所）探测站的光子探头的主要光子器件是采用HgCdTe（锑镉汞作为核心元件）（） THDS-C（哈科所）探测站,红外轴温探测系统碲镉汞器件需要在低温条件下工作，以获得比较高的和信噪比，因此要对碲镉汞进行制冷，降低器件温度（） THDS-A（哈科所）探测站,红外轴温探测系统碲镉汞器件需要在低温条件下工作，以获得比较高的响应率和，因此要对碲镉汞进行制冷，降低器件温度（） THDS-C（哈科所）红外轴温探测系统，光子探头元件温度异常可能与光子探头有关（） HTK-499型单光子探测系统，光子探头元件工作温度应该为0度以下（） THDS-C红外轴温探测系统直流光子探头响应速度：（） 碲锡汞是碲化镉与碲化汞的固溶体，可用来制作（）元件。 THDS-A（哈科所）探测站,红外轴温探测系统光子探头元件温度正常值范围是（） HTK-499型单光子探测系统光子探头的元件温度是由控制箱内的光子控制板控制的（） HTK-499型单光子探测系统，光子探头的动态噪声超标必须要更换光子探头（） THDS-A（哈科所）红外轴温探测系统，光子探头的制冷电流不稳定容易造成探头测温出现误差（） THDS（哈科所）探测站,红外轴温探测系统光子探头手动调整制冷后，元件制冷电流大约为（） THDS-C（哈科所）探测站,红外轴温探测系统光子探头元件温度正常值范围是（） THDS-C（哈科所）红外轴温探测系统，光子探头的制冷电流不稳定容易造成探头测温出现误差（） THDS-A（哈科所）探测站,红外轴温探测系统光子探头手动调整制冷后，元件制冷电流大约为（）