碲锡汞是碲化镉与碲化汞的固溶体，可用来制作（）元件。

THDS（哈科所）探测站,红外轴温探测系统碲镉汞器件需要在低温条件下工作，以获得比较高的响应率和，因此要对碲镉汞进行制冷，降低器件温度（） 碲镉汞响应时间常数比热敏电阻小（）数量级 THDS（哈科所）探头温控板是控制碲镉汞元件温度的电路板，具有3种调整制冷方式（） THDS-A（哈科所）探测站,红外轴温探测系统碲镉汞器件需要在低温条件下工作，以获得比较高的响应率和，因此要对碲镉汞进行制冷，降低器件温度（） THDS-C（哈科所）探测站,红外轴温探测系统碲镉汞器件需要在低温条件下工作，以获得比较高的和信噪比，因此要对碲镉汞进行制冷，降低器件温度（） THDS-B（哈科所）探头温控板是控制碲镉汞元件温度的电路板，具有3种调整制冷方式（） THDS（哈科所）探测站,红外轴温探测系统光子探头碲镉汞元件温度调整，具有种调整制冷方式（） THDS-A设备温控板是控制碲镉汞器件温度的电路板，具有种控制模式（） THDS-BS系统制冷板是控制碲镉汞器件温度的电路板，控制模式为（） 碲 HTK-499型单光子探测系统，元件温度不稳定或有跳变，容易造成探头碲镉汞器件的响应率稳定（） THDS-B（哈科所）探测站中制冷控制板是控制碲镉汞元件温度的电路板，具有3种调整制冷方式（） THDS-C（哈科所）探测站中制冷控制板是控制碲镉汞元件温度的电路板，具有3种调整制冷方式（） THDS（哈科所）探测站,红外轴温探测系统元件温度不稳定或有跳变，容易造成探头碲镉汞器件的变化（） THDS-A（哈科所）探测站,红外轴温探测系统元件温度不稳定或有跳变，容易造成探头碲镉汞器件的变化（） THDS-A（哈科所）红外轴温探测系统，元件温度不稳定或有跳变，容易造成探头碲镉汞器件的响应率稳定（） THDS-C（哈科所）探测站,红外轴温探测系统元件温度不稳定或有跳变，容易造成探头碲镉汞器件的变化（） THDS-A（哈科所）探测站,红外轴温探测系统元件温度不稳定或有跳变，容易造成探头碲镉汞器件的灵敏率（） 沥青玛碲脂 土壤中硒碲如何测定？