硅管的正向压降为（）V。

硅管的正向压降为0.7V（） 硅管的正向压降为0.7V。 通常硅管导通时的正向压降约为（） 二极管的管压降：硅二极管正向管压降为（） 硅二极管的正向导通压降约为 二极管正向导通后，硅管管压降约为（）,锗管管压降约为（）。 当三极管正常放大时，发射结的正向导通压降变化不大．小功率硅管约为( )V，锗管约为( )V。 二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（） 二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（） 锗二极管的正向压降比硅管大,锗管反向漏电流比硅管大（） 锗二极管的正向压降比硅管大，锗管反向漏电流比硅管大。 一般小功率硅管的管压降可为()V 下列二极管正向压降正确的是A.硅管为0.7VB．锗管为0.7VC．锗管为0.3VD．硅管为0.3V（） 硅二极管导通时的正向压降为V，锗二极管导通时的正向压降为V（） 在常温下，硅二极管的开启电压是（）V，导通后在较大电流下时正向压降约（）V。 二极管导通后，正向电流和正向电压呈（）关系，正向电流变化较大时，二极管两端的正向压降近于（）,硅管的正向压降为（）,锗管的正向压降为（） 硅二极管导通压降是（）V 锗二极管正向导通压降约为V（） 在常温常压下，硅二极管的正向导通压降约为（） 硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（）